AON7534 与 RQ3E180GNTB 区别
| 型号 | AON7534 | RQ3E180GNTB | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-AON7534 | A33-RQ3E180GNTB-0 | ||||||
| 制造商 | AOS | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 5mΩ@20A,10V | 4.3mΩ@18A,10V | ||||||
| 上升时间 | - | 6.9ns | ||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 23W | 2W | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 22.4nC | ||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 56.8ns | ||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 17S | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | HSMT-8 | ||||||
| 连续漏极电流Id | 30A | 18A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C | ||||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 下降时间 | - | 10.2ns | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 16.5ns | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 104 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||
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AON7534 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 30A 23W 5mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.8741
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2,775 | 对比 | ||||||||||||||
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BSZ0904NSI | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
30V 40A 3.3mΩ 20V 37W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 403 | 对比 | ||||||||||||||
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥5.8741
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104 | 对比 | ||||||||||||||
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IRFHM8326TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.8W(Ta),37W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 4.7mΩ@20A,10V PQFN N-Channel 30V 19A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||
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NTTFS4937NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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