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AOT14N50  与  IPP50R350CP  区别

型号 AOT14N50 IPP50R350CP
唯样编号 A-AOT14N50 A-IPP50R350CP
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 16 -
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 380mΩ@10V 350mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 14ns
Qgd(nC) 20.3 -
栅极电压Vgs 30V 2.5V,3.5V
RthJA max - 62.0K/W
Td(on)(ns) 44 -
封装/外壳 TO-220 TO-220
连续漏极电流Id 14A 10A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 1914 -
配置 - Single
QG (typ @10V) - 19.0 nC
Ptot max - 89.0W
长度 - 10mm
下降时间 - 12ns
Schottky Diode No -
高度 - 15.65mm
Trr(ns) 289 -
Budgetary Price €€/1k - 0.66
Td(off)(ns) 92 -
漏源极电压Vds 500V 500V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 278W 89W
Qrr(nC) 4930 -
VGS(th) 4.5 -
典型关闭延迟时间 - 80ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Mounting - THT
RthJC max - 1.4 K/W
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCE
典型接通延迟时间 - 35ns
Coss(pF) 191 -
Qg*(nC) 42.8* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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