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AOT14N50  与  IPP50R399CP  区别

型号 AOT14N50 IPP50R399CP
唯样编号 A-AOT14N50 A-IPP50R399CP
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP50R399CP, 9 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 16 -
宽度 - 4.57mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 380mΩ@10V 399mΩ
ESD Diode No -
引脚数目 - 3
Qgd(nC) 20.3 -
最小栅阈值电压 - 2.5V
栅极电压Vgs 30V -
Td(on)(ns) 44 -
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id 14A 9A
工作温度 - -55°C~150°C
Ciss(pF) 1914 -
长度 - 10.36mm
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
Schottky Diode No -
高度 - 15.95mm
Trr(ns) 289 -
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 80 ns
Td(off)(ns) 92 -
漏源极电压Vds 500V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 278W 83W
Qrr(nC) 4930 -
晶体管配置 -
VGS(th) 4.5 -
FET类型 N-Channel -
系列 - CoolMOS CP
典型接通延迟时间 - 35 ns
Coss(pF) 191 -
Qg*(nC) 42.8* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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