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AOT9N50  与  IPA50R800CE  区别

型号 AOT9N50 IPA50R800CE
唯样编号 A-AOT9N50 A-IPA50R800CE
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 7.8 -
宽度 - 4.85mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 850mΩ@10V 720mΩ
ESD Diode No -
上升时间 - 5.5ns
Qg-栅极电荷 - 12.4nC
Qgd(nC) 10.6 -
栅极电压Vgs 30V 20V
Td(on)(ns) 19.5 -
封装/外壳 TO-220 -
连续漏极电流Id 9A 7.6A
工作温度 - -40°C~150°C(TJ)
Ciss(pF) 868 -
配置 - Single
长度 - 10.65mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 13V
下降时间 - 15.9ns
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 130µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 280pF @ 100V
高度 - 16.15mm
Trr(ns) 248 -
Td(off)(ns) 51.5 -
漏源极电压Vds 500V 500V
Pd-功率耗散(Max) 192W 26.4W
Qrr(nC) 3500 -
VGS(th) 4.5 -
典型关闭延迟时间 - 26ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - CoolMOSCE
典型接通延迟时间 - 6.2ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12.4nC @ 10V
Coss(pF) 93 -
Qg*(nC) 23.6* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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