首页 > 商品目录 > > > > BSC0925NDATMA1代替型号比较

BSC0925NDATMA1  与  HP8K22TB  区别

型号 BSC0925NDATMA1 HP8K22TB
唯样编号 A-BSC0925NDATMA1 A-HP8K22TB
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.6mΩ@20A,10V
上升时间 - 4.5ns,7.2ns
Qg-栅极电荷 - 10nC,16.8nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1157pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 1.3V
正向跨导 - 最小值 - 10S,18S
封装/外壳 8-PowerTDFN HSOP-8
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 27A,57A
配置 - Dual
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 20A,10V -
下降时间 - 3.4ns,8.4ns
功率-最大值 2.5W -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 3W
典型关闭延迟时间 - 25.5ns,34.7ns
FET类型 2 N 沟道(双路降压斩波器) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
通道数量 - 2Channel
FET功能 标准 -
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A -
漏源电压(Vdss) 30V -
典型接通延迟时间 - 9.6ns,13.2ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC0925NDATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0925ND_8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
HP8K22TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP-8

¥1.4543 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.4543
120,000 对比
IRFH7911TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
HP8K22TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP-8

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售