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BSC0925NDATMA1  与  IRFH7911TRPBF  区别

型号 BSC0925NDATMA1 IRFH7911TRPBF
唯样编号 A-BSC0925NDATMA1 A-IRFH7911TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8 Dual N-Channel 30 V 8.6 mO 34 nC SMT HexFet Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 8.6mΩ@12A,10V
功率-最大值 2.5W -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.4W,3.4W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1157pF @ 15V -
FET类型 2 N 沟道(双路降压斩波器) N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN PQFN(5x6)
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 13A,28A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1060pF @ 15V
FET功能 标准 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 20A,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 15A -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1060pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
2,500: ¥1.4543
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