BSD235NH6327XTSA1 与 PMGD280UN,115 区别
| 型号 | BSD235NH6327XTSA1 | PMGD280UN,115 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSD235NH6327XTSA1 | A36-PMGD280UN,115-1 |
| 制造商 | Infineon Technologies | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 | MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率-最大值 | 500mW | - |
| 产品特性 | 车规 | - |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 0.4W |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 63pF @ 10V | - |
| 输出电容 | - | 11pF |
| 栅极电压Vgs | - | 0.7V,8V |
| FET类型 | 2 N-通道(双) | N-Channel |
| 封装/外壳 | PG-SOT363-6 | SOT363 |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 1.6uA | - |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.32nC @ 4.5V | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | 150°C |
| 输入电容 | - | 45pF |
| FET功能 | 逻辑电平门 | - |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 350 毫欧 @ 950mA,4.5V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 950mA | - |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 340mΩ@4.5V,430mΩ@2.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 5 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSD235NH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
2 N-通道(双) -55°C~150°C(TJ) 车规 PG-SOT363-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
￥0.5657
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4,763 | 对比 | ||||||||||
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PMGD280UN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 0.4W 150°C 0.7V,8V 20V |
暂无价格 | 5 | 对比 | ||||||||||
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PMGD280UN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 0.4W 150°C 0.7V,8V 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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