| 制造商编号 | BSD235NH6327XTSA1 |
|---|---|
| 商品别名 | BSD235N H6327 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-BSD235NH6327XTSA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 翻译
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参数有误?
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 950mA | |
| FET功能 | 逻辑电平门 | |
| FET类型 | 2 N-通道(双) | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 350 毫欧 @ 950mA,4.5V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 1.6uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 63pF @ 10V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.32nC @ 4.5V | |
| 功率-最大值 | 500mW | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 产品特性 | 车规 | |
| 封装/外壳 | PG-SOT363-6 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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交期:
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| 起订量: 3,000 | 倍数:1 |
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计,高效率、高可靠性和高功率密度
可增强GNSS信号灵敏度,适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU,旨在满足最高的安全标准,同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJC7428-AU_R1_000A1 | 801,000 |
| S-LP3407LT1G | 126,000 |
| SQ2389ES-T1_GE3 | 114,000 |
| CJ2101 | 36,000 |
| LP4101LT1G | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSD235NH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
2 N-通道(双) -55°C~150°C(TJ) 车规 PG-SOT363-6 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
¥0.5657
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4,763 | 对比 | ||||||||||
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PMGD280UN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 0.4W 150°C 0.7V,8V 20V |
暂无价格 | 5 | 对比 | ||||||||||
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PMGD290XN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 350mΩ@200mA,4.5V 410mW 0.86A ±12V 20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PMGD280UN,115 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT363 N-Channel 0.4W 150°C 0.7V,8V 20V |
暂无价格 | 0 | 对比 |