BSP122,115 与 STN1HNK60 区别
| 型号 | BSP122,115 | STN1HNK60 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSP122,115 | A3-STN1HNK60 |
| 制造商 | Nexperia | STMicroelectronics |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223 | N-Channel 600 V 10 nC Surface Mount SuperMESH Power MosFet - SOT-223 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 1.5W | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 8.5Ω@500mA,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.3W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | - | ±30V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOT223 | SOT-223 |
| 连续漏极电流Id | 0.55A | 0.4A |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | SuperMESH™ |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3.7V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 156pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 2500mΩ@10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 244,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 5 - 7天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP122,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 0.55A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STN1HNK60 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A |
暂无价格 | 244,000 | 对比 |
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STN1HNK60 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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