BSP122,115 与 STN1HNK60 区别
| 型号 | BSP122,115 | STN1HNK60 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSP122,115 | A36-STN1HNK60-0 | ||||
| 制造商 | Nexperia | STMicroelectronics | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 550MA SOT223 | N-Channel 600 V 10 nC Surface Mount SuperMESH Power MosFet - SOT-223 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散(最大值) | 1.5W | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 8.5Ω@500mA,10V | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 600V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3.3W(Tc) | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±30V | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT223 | SOT-223 | ||||
| 连续漏极电流Id | 0.55A | 0.4A | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 系列 | - | SuperMESH™ | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3.7V @ 250µA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 156pF @ 25V | ||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10nC @ 10V | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V | ||||
| Rds On(max)@Id,Vgs | 2500mΩ@10V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 5,092 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP122,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 N-Channel 0.55A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STN1HNK60 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A |
暂无价格 | 244,000 | 对比 |
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STN1HNK60 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±30V 3.3W(Tc) 8.5Ω@500mA,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 600V 0.4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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