BSP295H6327XTSA1 与 ZVN4306GVTA 区别
| 型号 | BSP295H6327XTSA1 | ZVN4306GVTA | ||||
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| 唯样编号 | A-BSP295H6327XTSA1 | A36-ZVN4306GVTA | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 | ZVN4306G 60 V 0.33 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-223 | ||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta) | - | ||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 330mΩ@3A,10V | ||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 3W(Ta) | ||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 368pF @ 25V | - | ||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | SOT-223-4 | SOT-223 | ||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 400uA | - | ||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17nC @ 10V | - | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 2.1A | ||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 1mA | ||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 350pF @ 25V | ||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 300 毫欧 @ 1.8A,10V | - | ||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.8A(Ta) | - | ||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 5V,10V | ||||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 893 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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BSP295H6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-223-4 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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ZVN4306GVTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta) 330mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 2.1A |
￥3.982
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893 | 对比 | ||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
￥1.144
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83 | 对比 | ||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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