| 制造商编号 | BSP295H6327XTSA1 |
|---|---|
| 商品别名 | BSP295 H6327 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-BSP295H6327XTSA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 不符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4 翻译
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 通用MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.8A(Ta) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 300 毫欧 @ 1.8A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 400uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 368pF @ 25V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 17nC @ 10V | |
| 功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | |
| 产品特性 | 车规 | |
| 封装/外壳 | SOT-223-4 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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| 起订量： 999 | 倍数：1 |
专为匹配英飞凌600V/650V CoolMOS™ 7系列MOSFET设计，高效率、高可靠性和高功率密度
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| PJC7428-AU_R1_000A1 | 801,000 |
| S-LP3407LT1G | 126,000 |
| SQ2389ES-T1_GE3 | 114,000 |
| CJ2101 | 36,000 |
| LP4101LT1G | 15,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP295H6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-223-4 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||
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ZVN4306GVTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 3W(Ta) 330mΩ@3A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 2.1A |
￥3.982
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893 | 对比 | ||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
￥1.144
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83 | 对比 | ||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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