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BSS131H6327XTSA1  与  TN2404K-T1-GE3  区别

型号 BSS131H6327XTSA1 TN2404K-T1-GE3
唯样编号 A-BSS131H6327XTSA1 A-TN2404K-T1-GE3
制造商 Infineon Technologies Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 TN2404K Series 240 V 4 Ohm Surface Mount N-Channel MOSFET - TO-236-3
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 360mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4Ω@300mA,10V
产品特性 车规 -
漏源极电压Vds - 240V
Pd-功率耗散(Max) - 360mW(Ta)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 77pF @ 25V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 1.8V @ 56uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.1nC @ 10V -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 200mA
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 14 欧姆 @ 100mA,10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 110mA(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
漏源电压(Vdss) 240V -
库存与单价
库存 0 90
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS131H6327XTSA1 Infineon  数据手册 通用MOSFET

N 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-23

暂无价格 0 当前型号
DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C~150°C

¥0.9372 

阶梯数 价格
60: ¥0.9372
200: ¥0.6468
1,500: ¥0.5874
3,112 对比
DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
TN2404K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±20V 360mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 200mA 4Ω@300mA,10V 240V

暂无价格 90 对比
TN2404K-T1-GE3 Vishay  数据手册 小信号MOSFET

±20V 360mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 200mA 4Ω@300mA,10V 240V

暂无价格 0 对比

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