BSS131H6327XTSA1 与 DMN24H11DS-7 区别
| 型号 | BSS131H6327XTSA1 | DMN24H11DS-7 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BSS131H6327XTSA1 | A36-DMN24H11DS-7 | ||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||
| 描述 | MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3 | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散(最大值) | 360mW(Ta) | - | ||||||
| 功率 | - | 1.2W | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 11Ω | ||||||
| 上升时间 | - | 4.7ns | ||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 3.7 nC | ||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 77pF @ 25V | - | ||||||
| 栅极电压Vgs | - | 1V | ||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | - | ||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.1nC @ 10V | - | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C | ||||||
| 连续漏极电流Id | - | 270mA | ||||||
| 配置 | - | Single | ||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 14 欧姆 @ 100mA,10V | - | ||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||||
| 下降时间 | - | 102.3ns | ||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | - | 240V | ||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 17.5ns | ||||||
| FET类型 | N 通道 | N-Channel | ||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 56uA | - | ||||||
| 通道数量 | - | 1 Channel | ||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 110mA(Ta) | - | ||||||
| 漏源电压(Vdss) | 240V | - | ||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 4.8ns | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 3,112 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS131H6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||
|
DMN24H11DS-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C~150°C |
￥0.9372
|
3,112 | 对比 | ||||||||
|
|
DMN24H11DS-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
|
DMN24H11DS-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||
|
TN2404K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 360mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 200mA 4Ω@300mA,10V 240V |
暂无价格 | 90 | 对比 | ||||||||
|
|
TN2404K-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 360mW(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOT-23-3 N-Channel 200mA 4Ω@300mA,10V 240V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
