BSS315PH6327XTSA1 与 FDN358P 区别
| 型号 | BSS315PH6327XTSA1 | FDN358P | ||||||||
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| 唯样编号 | A-BSS315PH6327XTSA1 | A36-FDN358P | ||||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 | Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) | - | ||||||||
| 功率 | - | 500mW(Ta) | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 125 毫欧 @ 1.5A,10V | ||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 282pF @ 15V | - | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SuperSOT | ||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.3nC @ 5V | - | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 1.5A | ||||||||
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 150 毫欧 @ 1.5A,10V | - | ||||||||
| Vgs(最大值) | ±20V | - | ||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | - | ||||||||
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V | ||||||||
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 182pF @ 15V | ||||||||
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 500mW(Ta) | ||||||||
| FET类型 | P 通道 | P-Channel | ||||||||
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 11uA | - | ||||||||
| 系列 | - | PowerTrench® | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 182pF @ 15V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.6nC @ 10V | ||||||||
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.5A(Ta) | - | ||||||||
| 漏源电压(Vdss) | 30V | - | ||||||||
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 5.6nC @ 10V | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 2,735 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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BSS315PH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
P 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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AO3403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
￥0.5918
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18,817 | 对比 | ||||||||||
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AO3409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±20V -2.6A 1.4W 110mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
￥0.5632
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18,202 | 对比 | ||||||||||
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DMP3160L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 2.7A 1.08W 122mΩ 30V 1.3V |
￥0.4979
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7,382 | 对比 | ||||||||||
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FDN358P | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
1.5A(Ta) ±20V 500mW(Ta) 125m Ohms@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT P-Channel 30V 1.5A 125 毫欧 @ 1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) |
￥1.375
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2,735 | 对比 | |||||||||||
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AO3403 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-23-3 P-Channel -30V ±12V -2.6A 1.4W 115mΩ@-2.6A,-10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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