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BUK768R1-100E,118  与  DMTH10H010LCTB-13  区别

型号 BUK768R1-100E,118 DMTH10H010LCTB-13
唯样编号 A-BUK768R1-100E,118 A-DMTH10H010LCTB-13
制造商 Nexperia Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 263W 2.4W(Ta),166W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 9.5mΩ@13A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2592 pF @ 50 V
输出电容 521pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 53.7 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT404 TO-220AB
工作温度 175℃ -55℃~175℃(TJ)
连续漏极电流Id 100A 108A(Tc)
驱动电压 - 10V
输入电容 5535pF -
Rds On(max)@Id,Vgs 8.1mΩ@10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
190+ :  ¥16.2501
400+ :  ¥12.5001
800+ :  ¥11.062
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK768R1-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK768R1-100E_SOT404

¥16.2501 

阶梯数 价格
190: ¥16.2501
400: ¥12.5001
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