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BUK768R1-100E,118  与  IPB083N10N3GATMA1  区别

型号 BUK768R1-100E,118 IPB083N10N3GATMA1
唯样编号 A-BUK768R1-100E,118 A-IPB083N10N3GATMA1
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 125W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 100V -
Pd-功率耗散(Max) 263W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3980pF @ 50V
输出电容 521pF -
栅极电压Vgs 3V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT404 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度 175℃ -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 100A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 75uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 55nC @ 10V
输入电容 5535pF -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 8.3 毫欧 @ 73A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 8.1mΩ@10V -
漏源电压(Vdss) - 100V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
190+ :  ¥16.2501
400+ :  ¥12.5001
800+ :  ¥11.062
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BUK768R1-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK768R1-100E_SOT404

¥16.2501 

阶梯数 价格
190: ¥16.2501
400: ¥12.5001
800: ¥11.062
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