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DMG6402LVT-7  与  IRLMS2002TRPBF  区别

型号 DMG6402LVT-7 IRLMS2002TRPBF
唯样编号 A-DMG6402LVT-7 A-IRLMS2002TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 42 mOhm 11.4 nC 1.75 W Silicon SMT Mosfet - TSOT-26 Single N-Channel 20 V 2 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 30mΩ 30mΩ@6.5A,4.5V
上升时间 6.2ns -
漏源极电压Vds 30V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.75W 2W(Ta)
Qg-栅极电荷 11.4nC -
栅极电压Vgs 1.5V ±12V
典型关闭延迟时间 13.9ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TSOT-26 Micro6™(SOT23-6)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6A 6.5A
系列 DMG6402 HEXFET®
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 498pF @ 15V 1310pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11.4nC @ 10V 22nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 2.5V,4.5V
下降时间 2.8ns -
典型接通延迟时间 3.4ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1310pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 22nC @ 5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TSOT-26

暂无价格 0 当前型号
STT6N3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT

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¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
2,979 对比
STT6N3LLH6 STMicro  数据手册 通用MOSFET

SOT

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NTGS4141NT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT23-6

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