DMN3033LSD-13 与 AO4854 区别
| 型号 | DMN3033LSD-13 | AO4854 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMN3033LSD-13 | A-AO4854 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 82 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 19mΩ@10V |
| ESD Diode | - | Yes |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 23mΩ |
| Qgd(nC) | - | 3 |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 725pF @ 15V | - |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 13nC @ 10V | - |
| Td(on)(ns) | - | 5 |
| 封装/外壳 | 8-SO | SO-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | 6.9A | 8A |
| Ciss(pF) | - | 740 |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 8 |
| Td(off)(ns) | - | 19 |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W |
| Qrr(nC) | - | 18 |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@6.9A,10V | - |
| VGS(th) | - | 2.4 |
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel |
| Coss(pF) | - | 110 |
| Qg*(nC) | - | 7.5 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF7904TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 16.2mΩ@7.6A,10V 1.4W,2W N-Channel 30V 7.6A,11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AO4854 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
