DMN3033LSD-13 与 IRF7904TRPBF 区别
| 型号 | DMN3033LSD-13 | IRF7904TRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-DMN3033LSD-13 | A-IRF7904TRPBF |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | Dual N-Channel 30 V 1.4/2 W 7.5/14 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 16.2mΩ@7.6A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.4W,2W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@6.9A,10V | - |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 725pF @ 15V | - |
| FET类型 | 2N-Channel | N-Channel |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 13nC @ 10V | - |
| 封装/外壳 | 8-SO | 8-SO |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 6.9A | 7.6A,11A |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.25V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 910pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.25V @ 25µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 910pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 11nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 6.9A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
|
IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF7904TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 16.2mΩ@7.6A,10V 1.4W,2W N-Channel 30V 7.6A,11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
AO4854 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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