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DMN6075S-7  与  DMN6075SQ-7  区别

型号 DMN6075S-7 DMN6075SQ-7
唯样编号 A-DMN6075S-7 A-DMN6075SQ-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 85mΩ@3.2A,10V -
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 800mW(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 SOT-23 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 2.5A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 606pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.3nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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