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DMN6075S-7  与  IRLML0060TRPBF  区别

型号 DMN6075S-7 IRLML0060TRPBF
唯样编号 A-DMN6075S-7 A3-IRLML0060TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 116 mOhm 2.5 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 85mΩ@3.2A,10V 92mΩ@2.7A,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 800mW(Ta) 1.25W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A 2.7A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.5V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 606pF @ 20V 290pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.3nC @ 10V 2.5nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 290pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.5nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6075S-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
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