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DMN67D8LW-13  与  DMN67D8LW-7  区别

型号 DMN67D8LW-13 DMN67D8LW-7
唯样编号 A-DMN67D8LW-13 A-DMN67D8LW-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5Ω@500mA,10V
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 320mW(Ta) 320mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5Ω@500mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 22 pF @ 25 V -
栅极电压Vgs ±30V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.82 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-323 SOT-323-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 240mA(Ta) 240mA(Ta)
系列 - DMN67
驱动电压 5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 22pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.82nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN67D8LW-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323

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