首页 > 商品目录 > > > > DMN67D8LW-13代替型号比较

DMN67D8LW-13  与  SN7002WH6327XTSA1  区别

型号 DMN67D8LW-13 SN7002WH6327XTSA1
唯样编号 A-DMN67D8LW-13 A-SN7002WH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 500mW(Ta)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 320mW(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5Ω@500mA,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 22 pF @ 25 V 45pF @ 25V
栅极电压Vgs ±30V -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.82 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-323 SC-70,SOT-323
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 240mA(Ta) -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.8V @ 26uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.5nC @ 10V
驱动电压 5V,10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5 欧姆 @ 230mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 230mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN67D8LW-13 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323

暂无价格 0 当前型号
SN7002WH6327XTSA1 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

SN7002W H6327_SC-70,SOT-323

暂无价格 0 对比
DMN67D8LW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323-3

暂无价格 0 对比
SN7002W H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

SN7002WH6327XTSA1_2.9mm

暂无价格 0 对比
2N7002KW MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-323

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售