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EM6J1T2R  与  SSM6P36FE,LM  区别

型号 EM6J1T2R SSM6P36FE,LM
唯样编号 A-EM6J1T2R A-SSM6P36FE,LM
制造商 ROHM Semiconductor Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET MOSFET
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 150mW
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.2Ω@200mA,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 150mW -
Qg-栅极电荷 1.4nC -
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 43pF @ 10V
Vgs(th) - 1V @ 1mA
栅极电压Vgs ±10V -
FET类型 2P-Channel 2P-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 1.2nC @ 4V
封装/外壳 SOT-563-6 ES6
连续漏极电流Id 200mA 330mA
工作温度 -55℃~150℃ 150°C(TJ)
系列 EM6J1 -
通道数量 2Channel -
配置 Dual -
FET功能 - 逻辑电平门
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
EM6J1T2R ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

SOT-563-6

暂无价格 0 当前型号
VT6J1T2CR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

VMT-6

暂无价格 100 对比
VT6J1T2CR ROHM Semiconductor  数据手册 小信号MOSFET

VMT-6

¥1.2396 

阶梯数 价格
1,310: ¥1.2396
4,000: ¥0.8404
8,000: ¥0.6076
0 对比
SSM6P36FE,LM Toshiba  数据手册 MOSFET

ES6

暂无价格 0 对比

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