首页 > 商品目录 > > > > FCH170N60代替型号比较

FCH170N60  与  IPW60R165CP  区别

型号 FCH170N60 IPW60R165CP
唯样编号 A-FCH170N60 A-IPW60R165CP
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 170m Ohms@11A,10V 165mΩ
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-247 -
连续漏极电流Id 22A 21A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
配置 - Single
长度 - 16.13mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 5ns
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 100V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 790µA
高度 - 21.1mm
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 227W(Tc) 192W
典型关闭延迟时间 - 50ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 SuperFET® II CoolMOSCE
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2860pF @ 380V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 12ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 52nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FCH170N60 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3 TO-247

暂无价格 0 当前型号
STW24N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 24,000 对比
STW26NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-247

暂无价格 6,270 对比
IPW65R190CFDA Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW65R190CFDAFKSA1_16.13mm

暂无价格 0 对比
SPW24N60CFD Infineon  数据手册 功率MOSFET

SPW24N60CFDFKSA1_16.13mm

暂无价格 0 对比
IPW60R165CP Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPW60R165CPFKSA1_16.13mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售