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FCH170N60  与  IPW65R190CFDA  区别

型号 FCH170N60 IPW65R190CFDA
唯样编号 A-FCH170N60 A-IPW65R190CFDA
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.21mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 170m Ohms@11A,10V 171mΩ
上升时间 - 8.4ns
漏源极电压Vds 600V 650V
Pd-功率耗散(Max) 227W(Tc) 151W
Qg-栅极电荷 - 68nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 53.2ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-247 -
连续漏极电流Id 22A 17.5A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -40°C~150°C
系列 SuperFET® II CoolMOSCFDA
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2860pF @ 380V -
长度 - 16.13mm
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 6.4ns
典型接通延迟时间 - 12ns
高度 - 21.1mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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