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FDMS6673BZ  与  BSC060P03NS3EGATMA1  区别

型号 FDMS6673BZ BSC060P03NS3EGATMA1
唯样编号 A-FDMS6673BZ A-BSC060P03NS3EGATMA1
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 FDMS6673BZ Series -30 V -82 A 6.8 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet - Power56 MOSFET P-CH 30V 17.7/100A 8TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 2.5W(Ta),83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.8m Ohms@15.2A,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),73W(Tc) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 6020pF @ 15V
栅极电压Vgs ±25V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 15.2A -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.1V @ 150uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 81nC @ 10V
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5915pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 6 毫欧 @ 50A,10V
Vgs(最大值) - ±25V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 17.7A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 6V,10V
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS6673BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN Power 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
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