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FDMS6673BZ  与  DMP3010LPSQ-13  区别

型号 FDMS6673BZ DMP3010LPSQ-13
唯样编号 A-FDMS6673BZ A-DMP3010LPSQ-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 FDMS6673BZ Series -30 V -82 A 6.8 mOhm P-Channel PowerTrench Mosfet - Power56
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 6.8m Ohms@15.2A,10V 7.5m Ohms@10A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),73W(Tc) 2.18W(Ta)
栅极电压Vgs ±25V ±20V
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-PQFN(5x6) 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 15.2A 36A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5915pF @ 15V 6234pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V 126.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS6673BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN Power 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 当前型号
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