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FDP61N20  与  IRFP260MPBF  区别

型号 FDP61N20 IRFP260MPBF
唯样编号 A-FDP61N20 A3-IRFP260MPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 200 V 41 mO 417 W Flange Mount Mosfet - TO-220 Single N-Channel 200 V 300 W 234 nC Through Hole Hexfet Power Mosfet - TO-247AC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 417W -
Rds On(Max)@Id,Vgs 41 毫欧 @ 30.5A,10V 40mΩ@28A,10V
漏源极电压Vds 200V 200V
Pd-功率耗散(Max) 417W(Tc) 300W(Tc)
栅极电压Vgs ±30V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220AB TO-247AC
连续漏极电流Id 61A 50A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
系列 UniFET™ HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3380pF @ 25V 4057pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V 234nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3380pF @ 25V 4057pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 75nC @ 10V 234nC @ 10V
库存与单价
库存 0 800
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP61N20 ON Semiconductor 通用MOSFET

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