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功率MOSFET   TO-247AC

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制造商编号 IRFP260MPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A-IRFP260MPBF
供货 唯样自营
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single N-Channel 200 V 300 W 234 nC Through Hole Hexfet Power Mosfet - TO-247AC
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商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 234nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4057pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 234nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 4057pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs 40mΩ@28A,10V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 200V
连续漏极电流Id 50A
封装/外壳 TO-247AC
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