FDS2572 与 IRF7815TRPBF 区别
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规格信息
型号	FDS2572	IRF7815TRPBF
唯样编号	A-FDS2572	A-IRF7815TRPBF
制造商	ON Semiconductor	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 150 V 47 mOhm UltraFET Trench Mosfet SOIC-8	N-Channel 150 V 43 mOhm 38 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
数据表		IRF7815TRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	47m Ohms@4.9A,10V	43mΩ@3.1A,10V
漏源极电压Vds	150V	150V
Pd-功率耗散(Max)	2.5W(Ta)	2.5W(Ta)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	8-SOIC	8-SO
连续漏极电流Id	4.9A	5.1A
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
系列	UltraFET™	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA	5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2050pF @ 25V	1647pF @ 75V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	38nC @ 10V	38nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-	5V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	1647pF @ 75V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	38nC @ 10V
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
FDS2572	ON Semiconductor		功率MOSFET	4.9A(Tc) ±20V 2.5W(Ta) 47m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.9A 8-SOIC	暂无价格	0	当前型号
IRF7815TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 43mΩ@3.1A,10V N-Channel 150V 5.1A 8-SO	暂无价格	0	对比
SI4488DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.5A 50mΩ	暂无价格	25	对比
SI4848DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.7A 85mΩ	暂无价格	5	对比
SI4848DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.7A 85mΩ	暂无价格	0	对比
SI4488DY-T1-GE3	Vishay	数据手册	功率MOSFET	±20V 1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.5A 50mΩ	暂无价格	0	对比