FDS2572 与 SI4488DY-T1-GE3 区别
| 型号 | FDS2572 | SI4488DY-T1-GE3 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-FDS2572 | A-SI4488DY-T1-GE3 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Vishay |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | N-Channel 150 V 47 mOhm UltraFET Trench Mosfet SOIC-8 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47m Ohms@4.9A,10V | 50mΩ |
| 零件号别名 | - | SI4488DY-GE3 |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | 1.56W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SOIC-8 |
| 连续漏极电流Id | 4.9A | 3.5A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | UltraFET™ | SI |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA(最小) |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 2050pF @ 25V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 38nC @ 10V | 36nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 25 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDS2572 | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
4.9A(Tc) ±20V 2.5W(Ta) 47m Ohms@4.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 150V 4.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
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IRF7815TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 43mΩ@3.1A,10V N-Channel 150V 5.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI4488DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.5A 50mΩ |
暂无价格 | 25 | 对比 |
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SI4848DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.7A 85mΩ |
暂无价格 | 5 | 对比 |
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SI4848DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.7A 85mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SI4488DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.56W(Ta) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 150V 3.5A 50mΩ |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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