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FDS3672  与  DMT10H025SSS-13  区别

型号 FDS3672 DMT10H025SSS-13
唯样编号 A-FDS3672-1 A-DMT10H025SSS-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 100 V 22 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 23mΩ@7.5A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.4W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 23mΩ@20A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1544 pF @ 50 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 21.4 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 7.5A 7.4A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
驱动电压 - 6V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2015pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 37nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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