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FDS4935BZ  与  IRF9362  区别

型号 FDS4935BZ IRF9362
唯样编号 A-FDS4935BZ A-IRF9362
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 Dual P-Channel 30 V 1.6 W 40 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Qgd (typ) - 6.3nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 22m Ohms@6.9A,10V 32mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.0W
漏源极电压Vds 30V -30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 900mW -
栅极电压Vgs - 20V
RthJA max - 62.5K/W
FET类型 P-Channel 2P-Channel
封装/外壳 8-SOIC SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 6.9A -6.4A
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1360pF @ 15V -
QG - 13.0nC
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 40nC @ 10V -
Tj max - 150.0°C
Budgetary Price €€/1k - 0.24
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS4935BZ ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

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