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FDS8449  与  RS6G120BGTB1  区别

型号 FDS8449 RS6G120BGTB1
唯样编号 A-FDS8449 A-RS6G120BGTB1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 29m Ohms@7.6A,10V 1.34mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 104W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC HSOP8 (Single)
连续漏极电流Id 7.6A 120A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 0 64
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥16.7237
100+ :  ¥8.3619
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS8449 ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
AO4450 AOS 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥16.7237 

阶梯数 价格
1: ¥16.7237
100: ¥8.3619
64 对比

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