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HP8K22TB  与  BSC0925ND  区别

型号 HP8K22TB BSC0925ND
唯样编号 A-HP8K22TB A-BSC0925ND
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@20A,10V 4.2mΩ
上升时间 4.5ns,7.2ns 3.8ns,3.8ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 3W 30W
Qg-栅极电荷 10nC,16.8nC 17nC,17nC
栅极电压Vgs 1.3V 20V
典型关闭延迟时间 25.5ns,34.7ns 17ns,17ns
正向跨导 - 最小值 10S,18S 38S,38S
FET类型 - 2N-Channel
封装/外壳 HSOP-8 -
连续漏极电流Id 27A,57A 40A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 2Channel 2Channel
配置 Dual Dual
长度 - 5.9mm
下降时间 3.4ns,8.4ns 3ns,3ns
典型接通延迟时间 9.6ns,13.2ns 4.7ns,4.7ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
HP8K22TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP-8

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BSC0925ND Infineon 功率MOSFET

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