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HP8K22TB  与  BSC0925NDATMA1  区别

型号 HP8K22TB BSC0925NDATMA1
唯样编号 A-HP8K22TB A-BSC0925NDATMA1
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.6mΩ@20A,10V -
上升时间 4.5ns,7.2ns -
Qg-栅极电荷 10nC,16.8nC -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1157pF @ 15V
栅极电压Vgs 1.3V -
正向跨导 - 最小值 10S,18S -
封装/外壳 HSOP-8 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 27A,57A -
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
配置 Dual -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 5 毫欧 @ 20A,10V
下降时间 3.4ns,8.4ns -
漏源极电压Vds 30V -
功率-最大值 - 2.5W
Pd-功率耗散(Max) 3W -
典型关闭延迟时间 25.5ns,34.7ns -
FET类型 - 2 N 沟道(双路降压斩波器)
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250uA
通道数量 2Channel -
FET功能 - 标准
25°C时电流-连续漏极(Id) - 15A
漏源电压(Vdss) - 30V
典型接通延迟时间 9.6ns,13.2ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
HP8K22TB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP-8

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