IPA60R210CFD7 与 R6018VNXC7G 区别
| 型号 | IPA60R210CFD7 | R6018VNXC7G | ||||
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| 唯样编号 | A-IPA60R210CFD7 | A33-R6018VNXC7G | ||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | 600V 10A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 210mΩ | 0.17Ω@15V | ||||
| Moisture Level | NA | - | ||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 61W | ||||
| 栅极电压Vgs | 3.5V,4.5V | ±30V | ||||
| Special Features | fast recovery diode | - | ||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||
| Pin Count | 3.0 Pins | - | ||||
| 封装/外壳 | TO-220 FullPAK | TO-220FM | ||||
| Mounting | THT | - | ||||
| 连续漏极电流Id | 7A | 10A | ||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||
| QG (typ @10V) | 23.0 nC | - | ||||
| Ptot max | 25.0 W | - | ||||
| IDpuls max | 42.0 A | - | ||||
| Budgetary Price €/1k | 0.94 | - | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 29 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 21 - 28天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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IPA60R210CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
7A TO-220 FullPAK -55°C~150°C N-Channel 600V 210mΩ 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
￥24.2435
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1,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
￥24.2435
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29 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
暂无价格 | 18 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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