IPA60R210CFD7 与 R6018VNXC7G 区别
| 型号 | IPA60R210CFD7 | R6018VNXC7G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPA60R210CFD7 | A3-R6018VNXC7G |
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 600V 10A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 210mΩ | 0.17Ω@15V |
| Moisture Level | NA | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 61W |
| 栅极电压Vgs | 3.5V,4.5V | ±30V |
| Special Features | fast recovery diode | - |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| Pin Count | 3.0 Pins | - |
| 封装/外壳 | TO-220 FullPAK | TO-220FM |
| Mounting | THT | - |
| 连续漏极电流Id | 7A | 10A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | - |
| QG (typ @10V) | 23.0 nC | - |
| Ptot max | 25.0 W | - |
| IDpuls max | 42.0 A | - |
| Budgetary Price €/1k | 0.94 | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 18 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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IPA60R210CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
7A TO-220 FullPAK -55°C~150°C N-Channel 600V 210mΩ 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
￥24.2435
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1,000 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
￥24.2435
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29 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
暂无价格 | 18 | 对比 | ||||||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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