IPA60R210CFD7 与 R6018VNXC7G 区别
| 型号 | IPA60R210CFD7 | R6018VNXC7G | ||||||
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| 唯样编号 | A-IPA60R210CFD7 | A32-R6018VNXC7G | ||||||
| 制造商 | Infineon Technologies | ROHM Semiconductor | ||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||||||
| 描述 | 600V 10A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode | |||||||
| 数据表 | ||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||
| 规格信息 | ||||||||
| 功率耗散Pd | - | 61W | ||||||
| Moisture Level | NA | - | ||||||
| 漏源极电压Vds | 600V | 600V | ||||||
| 栅极电压Vgs | 3.5V,4.5V | ±30V | ||||||
| Special Features | fast recovery diode | - | ||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||
| Pin Count | 3.0 Pins | - | ||||||
| 封装/外壳 | TO-220 FullPAK | TO-220FM | ||||||
| Mounting | THT | - | ||||||
| 连续漏极电流Id | 7A | 10A | ||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | - | ||||||
| QG (typ @10V) | 23.0 nC | - | ||||||
| Ptot max | 25.0 W | - | ||||||
| IDpuls max | 42.0 A | - | ||||||
| 导通电阻Rds(On) | 210mΩ | 0.17Ω@15V | ||||||
| Budgetary Price €/1k | 0.94 | - | ||||||
| 库存与单价 | ||||||||
| 库存 | 0 | 984 | ||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 7 - 14天 | ||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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IPA60R210CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
7A TO-220 FullPAK -55°C~150°C N-Channel 600V 210mΩ 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
￥29.6441
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984 | 对比 | ||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
￥14.7953
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900 | 对比 | ||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
￥14.7953
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29 | 对比 | ||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
暂无价格 | 18 | 对比 | ||||||||||||
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R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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