首页 > 商品目录 > > > > IPA60R280C6XKSA1代替型号比较

IPA60R280C6XKSA1  与  R6015ENX  区别

型号 IPA60R280C6XKSA1 R6015ENX
唯样编号 A-IPA60R280C6XKSA1 A3-R6015ENX
制造商 Infineon Technologies ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 32W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 290mΩ@6.5A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 40W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 950pF @ 100V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 整包 TO-220-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 430uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 43nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 15A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 280 毫欧 @ 6.5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 13.8A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 600V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 910pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 40nC @ 10V
库存与单价
库存 0 100
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPA60R280C6XKSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPA60R280C6_TO-220-3整包

暂无价格 0 当前型号
STF18N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 20,000 对比
STF18NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220FP-3

暂无价格 2,000 对比
STF22NM60N STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 800 对比
R6015ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

¥30.9191 

阶梯数 价格
1: ¥30.9191
100: ¥17.8713
500: ¥11.3304
100 对比
R6015ENX ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 100 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售