参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 16A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 30W | |
| Qg-栅极电荷 | 44nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 220mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 650V | |
| 栅极电压Vgs | 3V | |
| 上升时间 | 18ns | |
| 下降时间 | 38ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 74ns | |
| 典型接通延迟时间 | 11ns | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 系列 | STF22NM60N | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：50
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期：
5天-7天
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高可靠性厚膜电阻，体积小、重量轻、电性能稳定、机械强度高
具备优异的静态和动态性能，适用于高dV/dt和高di/dt的严苛电路环境
产品线丰富，覆盖了从微小信号处理到高功率控制的广泛需求
低温共烧陶瓷（LTCC）工艺，低剖面厚度与低插入损耗，适用于高频率、高稳定性的射频应用
具有无卤环氧树脂、高元件和设备可靠性,封装形式多样
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3139 | 240,000 |
| BUK7K6R2-40EX | 193,500 |
| IRF4905STRLPBF | 63,200 |
| BUK9832-55A/CUX | 44,000 |
| IRFZ24NPBF | 35,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STF22NM60N | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
16A 30W 220mΩ 650V 3V TO-220-3 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 280,000 | 当前型号 |
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FCPF20N60 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
20A(Tc) ±30V 39W(Tc) 190mΩ@10A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 TO-220F N-Channel 600V 20A TO-220F-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SPA15N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 34W(Tc) 280mΩ@9.4A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220FP N-Channel 600V 15A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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FCPF260N60E | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
±20V 260 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-220-3 整包 N-Channel 600V 15A(Tc) TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
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IPA60R190C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 600V 20.2A 170mΩ 20V 34W N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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SPA20N60C3 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
20.7A 190mΩ ±20V 34.5W PG-TO220-3 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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