首页 > 商品目录 > > > > IPB054N06N3GATMA1代替型号比较

IPB054N06N3GATMA1  与  IRF1405STRLPBF  区别

型号 IPB054N06N3GATMA1 IRF1405STRLPBF
唯样编号 A-IPB054N06N3GATMA1 A-IRF1405STRLPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK Single N-Channel 55 V 5.3 mOhm 260 nC 200 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 115W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.3mΩ@101A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6600pF @ 30V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 82nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 131A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.4 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5480pF @ 25V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 200W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 58uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 5480pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 260nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPB054N06N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB054N06N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 当前型号
BUK9608-55A,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK9608-55A_SOT404

¥20.2222 

阶梯数 价格
170: ¥20.2222
400: ¥15.2046
800: ¥12.4628
0 对比
IRF3205ZS Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF1405SPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比
AOB440 AOS 功率MOSFET

TO-263(D?Pak)

暂无价格 0 对比
IRF1405STRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售