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IPB054N06N3GATMA1  与  IRF3205ZS  区别

型号 IPB054N06N3GATMA1 IRF3205ZS
唯样编号 A-IPB054N06N3GATMA1 A-IRF3205ZS
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 115W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6.5mΩ@66A,10V
漏源极电压Vds - 55V
Pd-功率耗散(Max) - 170W(Tc)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 6600pF @ 30V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB D2PAK
不同Id时Vgs(th)(最大值) 4V @ 58uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 82nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 75A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.4 毫欧 @ 80A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 80A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
漏源电压(Vdss) 60V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 3450pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 110nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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阶梯数 价格
170: ¥20.2222
400: ¥15.2046
800: ¥12.4628
0 对比
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