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IPD031N03LGATMA1  与  AOD508  区别

型号 IPD031N03LGATMA1 AOD508
唯样编号 A-IPD031N03LGATMA1 A-AOD508
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3mΩ@20A,10V
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 50W
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id - 70A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.1 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 30V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
510+ :  ¥4.2184
1,000+ :  ¥3.299
2,500+ :  ¥2.5732
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD031N03LGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD031N03L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
AOD508 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥4.2184 

阶梯数 价格
510: ¥4.2184
1,000: ¥3.299
2,500: ¥2.5732
0 对比
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暂无价格 0 对比

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