首页 > 商品目录 > > > > IPD031N03LGATMA1代替型号比较

IPD031N03LGATMA1  与  IRLR8743PBF  区别

型号 IPD031N03LGATMA1 IRLR8743PBF
唯样编号 A-IPD031N03LGATMA1 A-IRLR8743PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3 Single N-Channel 30 V 135 W 39 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 94W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.1mΩ@25A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 5300pF @ 15V -
栅极电压Vgs - ±20V
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 D-Pak
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id - 160A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 3.1 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 100µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4880pF @ 15V
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 135W(Tc)
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 4880pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) 90A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 59nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IPD031N03LGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD031N03L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 当前型号
AOD508 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥4.2184 

阶梯数 价格
510: ¥4.2184
1,000: ¥3.299
2,500: ¥2.5732
0 对比
AOD210 AOS 功率MOSFET

TO-252,(D-Pak)

暂无价格 0 对比
IRLR8743PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IRLR8743TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 对比
IPD031N03LGBTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD031N03L G_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售