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IPD30N08S2L21ATMA1  与  AOD442  区别

型号 IPD30N08S2L21ATMA1 AOD442
唯样编号 A-IPD30N08S2L21ATMA1 A3-AOD442
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 MOSFET N-CH 60V 38A TO-252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 116
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 20mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 25mΩ
Qgd(nC) - 14.4
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V -
栅极电压Vgs - 20V
Td(on)(ns) - 7.4
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 72nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
连续漏极电流Id - 38A
Ciss(pF) - 1920
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 20.5 毫欧 @ 25A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 3
Td(off)(ns) - 28.2
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 60W
Qrr(nC) - 46
VGS(th) - 3
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 80uA -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 75V -
Coss(pF) - 155
Qg*(nC) - 24.2
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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400: ¥12.1056
1,000: ¥8.3487
1,250: ¥7.0752
2,500: ¥5.7993
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