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IPD30N08S2L21ATMA1  与  STD35NF06T4  区别

型号 IPD30N08S2L21ATMA1 STD35NF06T4
唯样编号 A-IPD30N08S2L21ATMA1 A3-STD35NF06T4
制造商 Infineon Technologies STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3 MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 136W(Tc) -
技术 MOSFET(金属氧化物) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1650pF @ 25V -
FET类型 N 通道 -
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 TO-252-3
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 80uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 72nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 20.5 毫欧 @ 25A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 30A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
漏源电压(Vdss) 75V -
库存与单价
库存 0 2,500
工厂交货期 56 - 70天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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IPD30N08S2L-21_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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400: ¥12.1056
1,000: ¥8.3487
1,250: ¥7.0752
2,500: ¥5.7993
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