IPD60R400CEAUMA1 与 AOD11S60 区别
| 型号 | IPD60R400CEAUMA1 | AOD11S60 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A-IPD60R400CEAUMA1 | A-AOD11S60 |
| 制造商 | Infineon Technologies | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 1.42 |
| 功率耗散(最大值) | 112W(Tc) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 399mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Qgd(nC) | - | 3.8 |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 700pF @ 100V | - |
| 栅极电压Vgs | - | 30V |
| Td(on)(ns) | - | 20 |
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252 |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 32nC @ 10V | - |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) | - |
| 连续漏极电流Id | - | 11A |
| Ciss(pF) | - | 545 |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 400 毫欧 @ 3.8A,10V | - |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 250 |
| Td(off)(ns) | - | 59 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 208W |
| Qrr(nC) | - | 3300 |
| VGS(th) | - | 4.1 |
| FET类型 | N 通道 | N-Channel |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 300uA | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 14.7A(Tc) | - |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - |
| Coss(pF) | - | 37.3 |
| Qg*(nC) | - | 11* |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD60R400CEAUMA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -40°C~150°C(TJ) TO-252 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||
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STD16N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 117,500 | 对比 | ||||
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AOD11S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V |
￥3.0294
|
43 | 对比 | ||||
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STD16N60M2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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AOD11S60 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 N-Channel 600V 30V 11A 208W 399mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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